中國工程院院士丁榮軍:第三代半導體技術未來十年復合增速將超20% 當前熱訊
(資料圖)上證報記者俞立嚴攝上證報中國證券網訊記者俞立嚴)6月29日,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術包括Si-
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(資料圖)上證報記者俞立嚴攝上證報中國證券網訊記者俞立嚴)6月29日,在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術包括Si-